Нейропротезы на мемристорах позволят предотвращать приступы эпилепсии и заменять повреждённые участки мозга
Впервые с помощью искусственного синапса на основе мемристора удалось обработать сигнал клеток гиппокампа. Синапс-мемристор ответил на электрическую активность живых нейронов, проявив синаптическую пластичность.
«В экспериментах in vitro мы показали, что мемристор отвечает на нейросигналы как часть живой системы. Испытания на клетках здорового и эпилептического мозга доказали, что устройство может распознавать эпилептические сигналы и, в перспективе, блокировать их. Мы можем плавно регулировать проводимость мемристора для передачи нормального нейросигнала и подавления вспышек эпилепсии», – рассказала автор исследования, научный сотрудник лаборатории стохастических мультистабильных систем ННГУ им. Н.И. Лобачевского Мария Коряжкина.
«Разработка электронной компонентной базы на новых физических принципах способствует развитию нового поколения нейропротезивных и нейромодулирующих устройств. В этом проекте мы продемонстрировали новый подход к моделированию эпилептической активности в экспериментах in vitro и показали базовые принципы работы мемристивных нейропротезов на клеточно-сетевом уровне», – сообщила соавтор исследования, старший научный сотрудник НИИ нейронаук Университета Лобачевского Альбина Лебедева.
Мемристоры способны выполнять функции и нейронов, и синапсов: генерировать, обрабатывать и хранить информацию. Новые микроэлектронные элементы позволят усовершенствовать известные нейропротезы, сделать их более дешёвыми, быстрыми и энергоэффективными. Нейропротезы на мемристорах также будут миниатюрными, что важно для применения в медицинской практике.
«Нейроны обмениваются аналоговыми сигналами. В традиционной микроэлектронике их можно смоделировать с помощью транзисторов, усилителей и других стандартных компонентов. Получатся объёмные системы с высоким энергопотреблением и низкой скоростью работы. Мемристоры за счёт своей универсальности сделают схемы нейропротезов значительно производительнее, точнее и проще», – прокомментировала Мария Коряжкина.
В исследовании были использованы мемристоры на основе стабилизированного диоксида циркония, созданные в лаборатории мемристорной наноэлектроники ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Проект реализован учёными лаборатории мемристорной наноэлектроники Научно-образовательного центра «Физика твердотельных наноструктур» и НИИ нейронаук ННГУ при поддержке РНФ. Результаты опубликованы в высокорейтинговом журнале Chaos, Solitons & Fractals в 2025 году.
Orci varius natoque penatibus et magnis dis parturient montes, nascetur ridiculus mus. Mauris dapibus sem nec ligula varius condimentum. Fusce lacus dolor, pretium et vehicula sed, congue sed quam. Nulla facilisi.